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　　当前，高性能芯片技术正突破传统摩尔定律的物理极限，转向三维异构集成、Chiplet封装、光子计算等创新路径。台积电3nm制程工艺良品率突破临界点，英特尔18A制程实现外部客户流片，标志着先进制程竞争进入新阶段。与此同时，RISC-V开源架构凭借其灵活性与低依赖性，在AIoT、车载计算等领域快速渗透，阿里巴巴平头哥推出的玄铁C910处理器，性能较前代提升显著，成本大幅降低。Chiplet技术通过模块化设计，将不同工艺节点的芯片单元集成于同一封装，有效平衡了性能、成本与良率，成为突破先进制程限制的重要手段。

　　地缘政治冲突与贸易保护主义抬头，促使全球半导体供应链向“区域化+多元化”重构。美国通过《芯片法案》吸引台积电、英特尔等企业建厂，目标将本土先进工艺份额大幅提升;中国大陆则聚焦成熟制程扩张，预计到2030年成熟工艺市占率将突破关键比例，中芯国际28nm工艺良品率大幅提升，华虹半导体12英寸产线加速爬坡。在设备与材料领域，国产光刻胶、EDA工具、碳化硅衬底等“卡脖子”环节取得突破，长鑫科技IDM模式构建起设计-制造-封测全链条能力，成为存储芯片国产替代的标杆。